Deposición química de vapores mejorada con plasma (PECVD) permite hacer películas delgadas a temperaturas más bajas en comparación con el proceso estándar de deposición química en fase vapor (CVD). PECVD utiliza el acoplamiento capacitivo entre dos electrodos paralelos (a grounded + a RF-energized electro) para excitar gases reactantes entre los electrodos en un plasma. El proceso resulta en una reacción química, y el producto de la reacción se deposita como un revestimiento sobre un sustrato, que ha sido calentado a 250°C a 350°C, dependiendo de lo que se está depositando. CVD requiere temperaturas mucho más altas (600°C a 800°C), lo que puede ser problemático para ciertas aplicaciones.
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Aplicaciones del PECVD
PECVD se usa normalmente para depositar los siguientes tipos de películas finas:
- Nitruro de silicio (SixNy)
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Dióxido de silicio (SiO2)
- Oxinitruro de silicio (SiOxNy)
- El Carburo de silicio (SiC)
- El Silicio amorfo (a-Si).
Silicio, o más bien silano (SiH4 – el gas derivado del silicio) se convierte en dióxido de silicio en combinación con gas de oxígeno de la fuente, o nitruro de silicio en combinación con un gas nitrógeno de código, los cuales son materiales aislantes (dieléctricas). Los materiales dieléctricos se utilizan para separar las capas conductoras y condensadores en casos como la fabricación de productos electrónicos, para proteger las sustancias de elementos corrosivos como la humedad o el aire, y para la pasivación de la superficie.