Obleas de silicio
PhotonExport suministra obleas de silicio y de cristales en pequeñas cantidades.
Especificaciones de Obleas de silicio
Elija una de las especificaciones que figuran a continuación. No tenemos cantidades mínimas adaptándonos a las pequeñas necesidades de científicos.
- SSP : Single-Side Polished
- DSP : Double-Side Polished
- Espesor desde Super-Thin ; 2 micron wafer hasta thick wafer o lingote
- Doped P, Doped N or Undoped
- Seleccione sus orientaciones estándares por ejemplo (100) o (110) o (111). Consulte con nosotros para orientaciones específicas y asegurar los resultados deseados.
Diámetros disponibles para Obleas de silicio
25.4 mm Si Wafer, 50.8 mm Si Wafer, 76.2 mm Si Wafer, 100 mm Si Wafer, 125 mm Si Wafer, 150 mm Si Wafer, 200 mm Si Wafer, 300 mm Si Wafer, 450 mm Si Wafer.
Thermal Oxide Silicon Wafers
Thermal Oxide (SiO2)
Diámetros desde 25.4 mm hasta 300 mm
Espesor disponible desde 200 Angstroms (Å) a 15 µm.
Obleas de Nitruro de Silicio
Obleas de Nitruro de Silicio Stoichiometric LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition)
Obleas de Nitruro de Silicio por deposición a bajas temperaturas en proceso PECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) que proporcionamos habitualmente para su aplicación de fotónica integrada.
Obleas de arseniuro de indio y galio
Suministramos monocristal InGaAs.
InGaAs se usa habitualmente en detectores infra-rojos. Otras aplicaciones incluyen foto-diodos de avalancha, ciertos transistores de alta rapidez, y celdas fotovoltaicas de triple-junction.
Obleas de fosfuro de indio
Diámetros disponibles: 2″ y 3″
Para su aplicación fotónica integrada.
Obleas de Cristales
Especificaciones de Obleas de Cristales:
Elija la orientación
(100), (001), (111), (110) orientaciones para sistemas cristalinos cúbicos.
(0001), (1102), (1120), (1010) para sistemas cristalinos hexagonales.
Hay disponibles otras orientaciones con más elevados índices de Miller index o substratos vecinales.
Precisión de la orientación : ± 0.5°, habitualmente < 0.3°, es posible valores de mayor precisión : consúltenos.
Tamaños de Obleas de Cristales
5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm, 10 mm x 5 mm, 15 mm x 15 mm
12,7 mm x 12,7 mm, 20 mm x 20 mm, 25 mm x 25 mm, ø1″, ø2″
Tolerancias laterales : +0/-0.05 mm.
Espesores de Obleas de Cristales
0,5 mm ; 1,0 mm, otros espesores de hasta 0,1 bajo pedido
Tolerancia Vertical : +/- 0,05 mm, es posible valores de mejor tolerancia vertical : consúltenos.
Pulidos para Obleas de Cristales:
Epi-pulido de uno o ambos lados(epitaxy ready pulished)
Calidad de la superficie : sin rayas examinado bajo aumento de 50 veces
Micro-Rugosidad (medido con microscopio interferométrico)
(resolución lateral : 0,65 µm, resolución vertical teórica de 0,01 nm)
Rugosidad : ( λcut off =0,08 mm)
Ra : < 0,5 nm
Rq : < 1,0 nm
Rt : < 2,0 nm.
Cristales habitualmente en stock
Aluminio, CeO2, GdScO3, LiF, PbSe, Tb-Dy-Fe (GMM), Al2O3 (safiro ), CdS, GGG, MgAl2O4 (spinel), PbTe, W (Polycrystal), AlN, CdSe, Grafito, Mg, SrTiO3, WS2, Ag, CdTe (HgCdTe), InAs, MgF2, Nb:SrTiO3 , WSe2, Au, CdZnTe, InP, MgO, SrLaAlO4, WTe2, Au/Cr coated, SiO2/Si, CsI (TI), InSb, Mica Disks, SrLaGaO4, BaF2, DyScO3, KCl, Mo (Polycrystal), SiO2 (cuarzo), YAlO3 (YAP), BaTiO3, Diamante, KH2PO4, MoS2, SiC (4H, 6H, 3C), YAG, Bi2Se3, Epi Film de diamante sobre Si, KTN, MoSe2, SBN, YIG, Bi2Te3, Fe (SS-Poly), KTaO3, MoTe2, Si, YVO4, Bi4Ge3O12(BGO12), Fe2O3, LaAlO3, NaCl, Si-Ge, YSZ, Bi12GeO20(BGO20), Fe3O4, LaF3, NaBi(WO4)2, SOI, ZnO, BN (h), Ga2O3-ß, La3Ga5SiO14, NdCaAlO4, SOS, Fósforo negro, GaAs, LiAlO2, Nickel (monocristal), Ti (policrystal), ZnS, CaF2, GaN, LiGaO2, NdGaO3, TiO2(Anatasa), Zn, C (mono-cristal), GaSe, LSAT, PBN, TiO2 (Rutilo), ZnSe, CaCO3 (Calcita), GaP, Li, PET Film, Ta, ZnTe, Cu, GaTe, LiNbO3, PbWO4, TGG, Zr, Ce:Lu2SiO5, GaSb, LiTaO3, PMNT, TeO2, Zero Diffraction Plate, CdWO4, Ge, Lu2SiO5 : Ce, PbS, TbScO3, Cristales de dos dimensiones.
Si no puede encontrar su cristal en las referencias anteriores, consulte con nosotros que podremos personalizar su pedido :
Obleas Cerámicas
PhotonExport suministra substratos de Alúmina (Al2O3), substratos de Zirconio (ZrO2) y substratos de Nitruro de Aluminio (AlN).
Los substratos de Alúmina o A1203 son de uso corriente debido a su alta resistencia mecánica y alta resistencia térmica. Gracias a su muy bajas pérdidas dieléctricas, la alúmina tiene excelente prestaciones para el packaging en micro-electrónica. Su resistencia a la abrasión hace del A1203 un excelente componente para aplicaciones de pulido. La superficie del substrato de alúmina es bastante suave y de baja porosidad: el substrato da alúmina con pureza de 99,6% es adecuado para dispositivos de película delgada, el substrato de alúmina de 96% de pureza es adecuado para aplicaciones de thick filmes o alúmina rugosa.
| Description | Al2O3 Wafer Type 1 | Al2O3 Wafer Type 2 | Al2O3 Wafer Type 3 | Al2O3 Wafer Type 4 |
|---|---|---|---|---|
| Purity (wt%) | 0.96 | 99.6% | 99.6% | 99.9% |
| Density (g/cm3) | > 3.75 | 3.88 | 3.87 | 3.92 |
| Thermal conductivity (W/m. K) | 24 | 34.7 | 35 | 35 |
| Thermal Expansion (x10-6/oC) | < 7.7 | 7~8.3 | 7~8.3 | 8.1 |
| Dielectric Strength (Kv/mm) | > 14 | 23.64 | 23.64 | 8.7 |
| Dielectric Constant (at 1MHZ) | 9.8 | 9.9 | 9.9 | 9.8 |
| Loss Tangent (x10-4 @1MHZ) | 4 | 1 | 1 | < 1 |
| Volume Resistivity (ohm-m) | > 1013 @ 20 Cº; > 3×107 @ 500 Cº | > 1014 @ 25 Cº; > 109 @ 500 Cº | > 1014 @ 25 Cº; > 1010 @ 500 Cº | > 1015 @ 25Cº; 1012 @ 500 Cº |
| Flexural Strength (N/mm2) | >330 | 593 | 621 | 400 |
| Surface Roughness (micron) | as fired 0.3 as lapped 0.075 as polished 0.025 |