Plasma melhorado de Deposição por Vapor Químico PT

Plasma melhorado de Deposição por Vapor Químico ( PECVD ) permite realizar filmes finos por deposição a temperaturas mais baixas, comparando com o processo normal de deposição de vapor químico (CVD). O PECVD utiliza o acoplamento capacitivo entre dois elétrodos paralelos (um aterrado + um eletrodo RF-energizado) para excitar gases reagentes entre os elétrodos num plasma. O processo resulta numa reação química e o produto da reação é depositado criando um revestimento sobre um substrato, que foi aquecido ate 250 ° C o 350 ° C , dependendo da película que está a ser depositada.  O CVD exige temperaturas muito mais elevadas – 600 ° C a 800 ° C , o que é problemático. As temperaturas mais elevadas de CVD podem, em alguns casos, danificar os dispositivos a ser fabricados, sendo necessário utilizar um processo de temperatura mais baixa por PECVD.

A Photon Export seleciona a sua tecnologia PECVD com fabricantes de equipamentos que têm mais de três décadas de sucesso na produção, instalação e manutenção de sistemas de alta qualidade para laboratórios ou ambientes industriais de produção de filmes finos.

PECVD é normalmente usado para depositar os filmes seguintes:

  • nitreto de silício (SixNy)

  • dióxido de silício (SiO2)

  • silício oxy-nitreto (SiOxNy)
  • carboneto de silício (SiC)
  • silício amorfo  (a-Si).

Silício, ou silano (SiH4 – o gás de fonte de silício) transforma-se em dióxido de silício em combinação com oxigénio gasoso, o nitreto de silício em combinação com um gás de azoto, ambos são materiais isolantes (dielétricos). Materiais dielétricos são usados para separar camadas condutoras e capacitores em setores como fabricação de produtos eletrónicos, para proteger substâncias de elementos corrosivos, como humidade ou ar, e por passivação de superfície.