Плазмохимическое осаждение из паровой фазы (PECVD) позволяет тонким пленкам (покрытиям) подвергаться процессу напыления при более низких температурах в сравнении со стандартным процессом химического осаждения (CVD). PECVD использует емкостную связь между двумя параллельными электродами (с заземлением + электродом с ВЧ-напряжением) для трансформации реакционных газов между электродами в плазму. Результатом процесса химической реакции и продуктом реакции является напыление в качестве покрытия на подложке, нагретой до 250°C – 350°C, в зависимости от того, какая пленка была подвергнута напылению. В некоторых случаях более высокая температура CVD может повредить произведенные изделия, что и показывает необходимость использования процесса низкотемпературной обработки, используемой в PECVD.

  • PhotonExport заимствуют технологии PECVD у опытных производителей, которые имеют более трех десятилетий успеха в производстве высококачественного оборудования для тонких пленок.

Область применения PECVD

PECVD обычно применяется для напыления следующих пленок:

  • Из нитрида кремния (SixNy)
  • Из диоксида кремния (SiO2)
  • Из окси-нитрида кремния (SiOxNy)
  • Из карбида кремния (SiC)
  • Из аморфного кремния (a-Si).

Кремний, или, вернее кремневодород (siH4 – источник газа кремния) трансформируется из диоксида кремния в комбинации с исходным газом – кислородом, или нитридом кремния в комбинации с исходным газом – азотом, которые являются изоляционным материалом (диэлектрическим). Диэлектрические материалы используются для разделения проводящих слоев и конденсаторов в таких сферах, как производство электроники, для защиты от агрессивных веществ, например влаги или воздуха, а также для пассивации поверхности.