Silikon ve Kristal Wafer

 

Silikon Wafer

 

PhotonExport, aşağıda ayrıntılarıyla belirtildiği üzere küçük silikon ve kristal Wafer tedariği yapmaktadır

Özellikler:

Aşağıda listelenen özelliklerden birini seçiniz. Minimum sipariş miktarımız yoktur.

Mevcut Çaplar

25.4 mm Si Wafer,  50.8 mm Si Wafer, 76.2 mm Si Wafer, 100 mm Si Wafer, 125 mm Si Wafer, 150 mm Si Wafer, 200 mm Si Wafer, 300 mm Si Wafer, 450 mm Si Wafer

Termal Oksit Silikon Wafer

Termal Oksit (SiO2)

Çap 25.4 mm ila 300 mm arasında değişir.

kalınlık 200 Angstroms (Å)’dan  15 µm’a kadar mevcuttur.

Silikon Nitrid Wafer

Stoichiometric LPCVD (düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme) Silicon Nitrit wafer

PECVD (Plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme) Silikon Nitrit wafer (düşük sıcaklıklarda biriktirilir)

Entegre fotonik uygulamalarınız için genel olarak temin edilmektedir..

İndium Galyum Arsenit Wafer

Tek kristal InGaAs tedarik ediyoruz.

InGaAs esas olarak kızılötesi dedektörler için kullanılır. Diğer uygulamalar arasında çığ foto diyotları, en h

 

ızlı transistörlerin bazıları ve triple-junction photovoltaics bulunur.

Entegre fotonik uygulamalarınız için genel olarak temin edilmektedir.

İndium Fosfit  Wafer

Mevcut çaplar: 2 “3”

Entegre fotonik uygulamanız için

Kristal Wafer

Özellikler

Yönünüzü seçin

(100), (001), (111), (110) Kübik ve dört köşeli kristaller için

(0001), (1102), (1120), (1010)  Altıgen kristaller için

Diğer yönlendirmeler, daha yüksek Miller indeks değerleri veya benzer  yüzeyler  ile elde edilebilir.

Yönlendirme doğruluğu: ± 0,5 °, tipik olarak <0,3 ° veya istek üzerine daha iyisi

Standart boyutunuzu seçin:

5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm, 10 mm x 5 mm, 15 mm x 15 mm

12,7 mm x 12,7 mm, 20 mm x 20 mm, 25 mm x 25 mm, ø1″, ø2″

Yanal toleranslar: +0/-0.05 mm

Standart kalınlık:

0,5 mm, 1,0 mm, istek üzerine 0.1 mm’ye kadar olan diğer kalınlıklar

Dikey tolerans: İsteğe bağlı olarak +/- 0.05 mm veya daha iyi

Parlatma:

Bir veya her iki taraf epi-polished (cilalanmış epitaksiye hazır)

Yüzey kalitesi: 50x büyütme altında çizilmeye karşı korumalı

Mikro Pürüzlülük (interferometere mikroskopu ile ölçülmüş)
(Yanal çözünürlük: 0.65 μm, teorik dikey çözünürlük 0.01 nm’den)
Pürüzlülük: (λcut = 0.08 mm)
Ra: < 0.5 nm
Rq : < 1.0 nm

Rt : < 2.0 nm

Stoktaki Kristaller:

Aluminum,  CeO2, GdScO3, LiF, PbSe, Tb-Dy-Fe (GMM), Al2O3 (sapphire ), CdS, GGG, MgAl2O4 (spinel), PbTe,   W (Polycrystal),  AlN, CdSe, Graphite, Mg, SrTiO3, WS2, Ag, CdTe （HgCdTe), InAs, MgF2, Nb:SrTiO3 , WSe2,  Au, CdZnTe, InP, MgO, SrLaAlO4, WTe2, Au/Cr coated, SiO2/Si, CsI (TI), InSb, Mica Disks, SrLaGaO4, BaF2, DyScO3, KCl, Mo (Polycrystal), SiO2 ( quartz ), YAlO3  (YAP),  BaTiO3, Diamond , KH2PO4, MoS2, SiC (4H, 6H, 3C), YAG , Bi2Se3, Diamond Epi Film on Si,  KTN, MoSe2, SBN, YIG,  Bi2Te3, Fe (SS-Poly), KTaO3, MoTe2, Si,  YVO4, Bi4Ge3O12(BGO12), Fe2O3, LaAlO3, NaCl, Si-Ge,  YSZ, Bi12GeO20(BGO20), Fe3O4, LaF3, NaBi(WO4)2,     SOI, ZnO, BN (h), Ga2O3-ß, La3Ga5SiO14, NdCaAlO4, SOS, Black Phosphorus, GaAs, LiAlO2,  Nickel ( single xtl), Ti (polycrystal), ZnS,CaF2, GaN, LiGaO2, NdGaO3, TiO2(Anatase),  Zn, C ( single crystal), GaSe, LSAT, PBN, TiO2 (Rutile), ZnSe, CaCO3 (Calcite),  GaP, Li, PET Film, Ta, ZnTe,Cu, GaTe, LiNbO3, PbWO4, TGG, Zr, Ce:Lu2SiO5, GaSb, LiTaO3, PMNT, TeO2, Zero Diffraction Plate, CdWO4, Ge, Lu2SiO5 : Ce, PbS, TbScO3, Two Dimensional Crystal.

Eğer aradığınızı listemizde bulamazsanız, daha fazlası ve özel çözümler için bize danışın.

Seramik Wafer:

PhotonExport Alumina substrat (Al2O3), Zirkonya substrat (ZrO2) ve Alüminyum Nitrür substrat (AlN) sağlamaktadır.

Al2O3 kaplanma yüzeyleri, üstün  yüksek mekanik mukavemeti ve çok yüksek ısı direnci nedeniyle çok fazla şekilde müşterek olarak kullanılmaktadır. Özellikleri, Alüminyum alt katmanları yüksek performanslı mikroelektronik ambalajlar için çok faydalı olan çok küçük yalıtkan kayıp içerir. Yüksek aşınma direnci Al2O3’ü öğütme ortamı olarak iyi bir performans sergilemesine sebep olmaktadır.Alüminyum kaplanma yüzeyi oldukça pürüzsüzdür ve düşük gözeneklidir, % 99.6 alümina kaplanma yüzeyi ince film cihazı ve ayrıca  kalın film cihazı uygulaması için de uygundur.

Description	Al2O3 Wafer Type 1	Al2O3 Wafer Type 2	Al2O3 Wafer Type 3	Al2O3 Wafer Type 4
Purity (wt%)	0.96	99.6%	99.6%	99.9%
Density (g/cm3)	> 3.75	3.88	3.87	3.92
Thermal conductivity (W/m. K)	24	34.7	35	35
Thermal Expansion (x10-6/oC)	< 7.7	7~8.3	7~8.3	8.1
Dielectric Strength (Kv/mm)	> 14	23.64	23.64	8.7
Dielectric Constant (at 1MHZ)	9.8	9.9	9.9	9.8
Loss Tangent (x10-4 @1MHZ)	4	1	1	< 1
Volume Resistivity (ohm-m)	> 1013 @ 20 Cº; > 3x107 @ 500 Cº	> 1014 @ 25 Cº; > 109 @ 500 Cº	> 1014 @ 25 Cº; > 1010 @ 500 Cº	> 1015 @ 25Cº; 1012 @ 500 Cº
Flexural Strength (N/mm2)	>330	593	621	400
Surface Roughness (micron)	as fired 0.3 as lapped 0.075 as polished 0.025