Etching seca (Plasma Etching) retira materiais de um substrato utilizando plasma em ambiente de vácuo. Em suma, uma espécie reativa dentro do plasma tem de reagir com o material que se pretende remover da superfície do substrato, formando produtos secundários voláteis da reação. Este processo pode ser dividido em quatro passos ou processos, como segue:

  • Formação de espécies de gás ativo: as espécies de gás, tais como íons, elétrons e radicais são ativados na zona de descarga de plasma.
  • Transporte ativo da espécie: espécies neutras são difundidas até a superfície do substrato. O varga negativo no cátodo acelera as espécies carregadas para a superfície.
  • Reação de superfície: Uma série de mecanismos é desencadeada durante três sub-etapas principais. Enquanto os processos que dependem da energia dos íons em que incidem tem uma componente significativa física, durante um ataque químico, os neutros ativados reagem de forma independente da sua energia cinética. Normalmente, a maioria dos processos envolve ambas as reações: físicas e químicas. Os três sub-passos-chave desta reação de superfície são:
    • Absorção de precursores
    • Reação de superfície
    • Dessorção dos produtos
  • Efeito Pump down: Seguindo o passo “dessorção de produtos”, os produtos de reação voláteis voltam para o plasma a granel e são removidos pela bomba de vácuo. As direções de difusão dos etchants e dos produtos da reação são determinadas pelos respectivos gradientes de concentração na superfície do substrato e no plasma.