Silikon Wafer
PhotonExport, aşağıda ayrıntılarıyla belirtildiği üzere küçük silikon ve kristal Wafer tedariği yapmaktadır
Özellikler:
Aşağıda listelenen özelliklerden birini seçiniz. Minimum sipariş miktarımız yoktur.
- SSP: Tek Taraflı Parlatılmış
- DSP: Çift Taraflı Parlatılmış
- Super-İnce 2 mikron kalınlığındaki Wafer ‘dan kalın Wafer’a kadar
- Doped P, Doped N veya Katkısız
- Standart yönlendirmelerinizi her örnek için (100), (110) veya (111) olarak seçin. Uygun sonuçlar elde etmek için özel yönlendirmeniz için bizimle görüşün..
Mevcut Çaplar
25.4 mm Si Wafer, 50.8 mm Si Wafer, 76.2 mm Si Wafer, 100 mm Si Wafer, 125 mm Si Wafer, 150 mm Si Wafer, 200 mm Si Wafer, 300 mm Si Wafer, 450 mm Si Wafer
Termal Oksit Silikon Wafer
Termal Oksit (SiO2)
Çap 25.4 mm ila 300 mm arasında değişir.
kalınlık 200 Angstroms (Å)’dan 15 µm’a kadar mevcuttur.
Silikon Nitrid Wafer
Stoichiometric LPCVD (düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme) Silicon Nitrit wafer
PECVD (Plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme) Silikon Nitrit wafer (düşük sıcaklıklarda biriktirilir)
Entegre fotonik uygulamalarınız için genel olarak temin edilmektedir..
İndium Galyum Arsenit Wafer
Tek kristal InGaAs tedarik ediyoruz.
InGaAs esas olarak kızılötesi dedektörler için kullanılır. Diğer uygulamalar arasında çığ foto diyotları, en h
ızlı transistörlerin bazıları ve triple-junction photovoltaics bulunur.
Entegre fotonik uygulamalarınız için genel olarak temin edilmektedir.
İndium Fosfit Wafer
Mevcut çaplar: 2 “3”
Entegre fotonik uygulamanız için
Kristal Wafer
Özellikler
Yönünüzü seçin
(100), (001), (111), (110) Kübik ve dört köşeli kristaller için
(0001), (1102), (1120), (1010) Altıgen kristaller için
Diğer yönlendirmeler, daha yüksek Miller indeks değerleri veya benzer yüzeyler ile elde edilebilir.
Yönlendirme doğruluğu: ± 0,5 °, tipik olarak <0,3 ° veya istek üzerine daha iyisi
Standart boyutunuzu seçin:
5 mm x 5 mm, 10 mm x 10 mm, 10 mm x 5 mm, 15 mm x 15 mm
12,7 mm x 12,7 mm, 20 mm x 20 mm, 25 mm x 25 mm, ø1″, ø2″
Yanal toleranslar: +0/-0.05 mm
Standart kalınlık:
0,5 mm, 1,0 mm, istek üzerine 0.1 mm’ye kadar olan diğer kalınlıklar
Dikey tolerans: İsteğe bağlı olarak +/- 0.05 mm veya daha iyi
Parlatma:
Bir veya her iki taraf epi-polished (cilalanmış epitaksiye hazır)
Yüzey kalitesi: 50x büyütme altında çizilmeye karşı korumalı
Mikro Pürüzlülük (interferometere mikroskopu ile ölçülmüş)
(Yanal çözünürlük: 0.65 μm, teorik dikey çözünürlük 0.01 nm’den)
Pürüzlülük: (λcut = 0.08 mm)
Ra: < 0.5 nm
Rq : < 1.0 nm
Rt : < 2.0 nm
Stoktaki Kristaller:
Aluminum, CeO2, GdScO3, LiF, PbSe, Tb-Dy-Fe (GMM), Al2O3 (sapphire ), CdS, GGG, MgAl2O4 (spinel), PbTe, W (Polycrystal), AlN, CdSe, Graphite, Mg, SrTiO3, WS2, Ag, CdTe （HgCdTe), InAs, MgF2, Nb:SrTiO3 , WSe2, Au, CdZnTe, InP, MgO, SrLaAlO4, WTe2, Au/Cr coated, SiO2/Si, CsI (TI), InSb, Mica Disks, SrLaGaO4, BaF2, DyScO3, KCl, Mo (Polycrystal), SiO2 ( quartz ), YAlO3 (YAP), BaTiO3, Diamond , KH2PO4, MoS2, SiC (4H, 6H, 3C), YAG , Bi2Se3, Diamond Epi Film on Si, KTN, MoSe2, SBN, YIG, Bi2Te3, Fe (SS-Poly), KTaO3, MoTe2, Si, YVO4, Bi4Ge3O12(BGO12), Fe2O3, LaAlO3, NaCl, Si-Ge, YSZ, Bi12GeO20(BGO20), Fe3O4, LaF3, NaBi(WO4)2, SOI, ZnO, BN (h), Ga2O3-ß, La3Ga5SiO14, NdCaAlO4, SOS, Black Phosphorus, GaAs, LiAlO2, Nickel ( single xtl), Ti (polycrystal), ZnS,CaF2, GaN, LiGaO2, NdGaO3, TiO2(Anatase), Zn, C ( single crystal), GaSe, LSAT, PBN, TiO2 (Rutile), ZnSe, CaCO3 (Calcite), GaP, Li, PET Film, Ta, ZnTe,Cu, GaTe, LiNbO3, PbWO4, TGG, Zr, Ce:Lu2SiO5, GaSb, LiTaO3, PMNT, TeO2, Zero Diffraction Plate, CdWO4, Ge, Lu2SiO5 : Ce, PbS, TbScO3, Two Dimensional Crystal.
Eğer aradığınızı listemizde bulamazsanız, daha fazlası ve özel çözümler için bize danışın.
Seramik Wafer:
PhotonExport Alumina substrat (Al2O3), Zirkonya substrat (ZrO2) ve Alüminyum Nitrür substrat (AlN) sağlamaktadır.
Al2O3 kaplanma yüzeyleri, üstün yüksek mekanik mukavemeti ve çok yüksek ısı direnci nedeniyle çok fazla şekilde müşterek olarak kullanılmaktadır. Özellikleri, Alüminyum alt katmanları yüksek performanslı mikroelektronik ambalajlar için çok faydalı olan çok küçük yalıtkan kayıp içerir. Yüksek aşınma direnci Al2O3’ü öğütme ortamı olarak iyi bir performans sergilemesine sebep olmaktadır.Alüminyum kaplanma yüzeyi oldukça pürüzsüzdür ve düşük gözeneklidir, % 99.6 alümina kaplanma yüzeyi ince film cihazı ve ayrıca kalın film cihazı uygulaması için de uygundur.
| Description | Al2O3 Wafer Type 1 | Al2O3 Wafer Type 2 | Al2O3 Wafer Type 3 | Al2O3 Wafer Type 4 |
|---|---|---|---|---|
| Purity (wt%) | 0.96 | 99.6% | 99.6% | 99.9% |
| Density (g/cm3) | > 3.75 | 3.88 | 3.87 | 3.92 |
| Thermal conductivity (W/m. K) | 24 | 34.7 | 35 | 35 |
| Thermal Expansion (x10-6/oC) | < 7.7 | 7~8.3 | 7~8.3 | 8.1 |
| Dielectric Strength (Kv/mm) | > 14 | 23.64 | 23.64 | 8.7 |
| Dielectric Constant (at 1MHZ) | 9.8 | 9.9 | 9.9 | 9.8 |
| Loss Tangent (x10-4 @1MHZ) | 4 | 1 | 1 | < 1 |
| Volume Resistivity (ohm-m) | > 1013 @ 20 Cº; > 3×107 @ 500 Cº | > 1014 @ 25 Cº; > 109 @ 500 Cº | > 1014 @ 25 Cº; > 1010 @ 500 Cº | > 1015 @ 25Cº; 1012 @ 500 Cº |
| Flexural Strength (N/mm2) | >330 | 593 | 621 | 400 |
| Surface Roughness (micron) | as fired 0.3 as lapped 0.075 as polished 0.025 |