El Grabado por plasma (Plasma Etching) retira material de un substrato utilizando un plasma en un entorno de vacío. El proceso se puede resumir en una reacción dentro de un plasma de un producto (etchant) con el material que se quiere retirar de la superficie del substrato formando subproductos volátiles que son absorbidos por el plasma y el bombeo de vacío. Este proceso se puede separar en cuatro fases:


  • Formación de especies químicas de gas activas: Iones de gas, electrones y radicales se activan en la zona de la descarga del plasma.
  • Transporte Especies Activas: Especies químicas neutrales se difunden en el substrato. El potencial negativo del catodo acelera la descarga de las especies químicas hacia el substrato.
  • Reacción de superficie: En los tres sub-procesos que componen la reacción de superficie, se desencadenan varias reacciones. Mientras que los procesos que dependen de las energías de los iones incidentes tienen una componente física importante, durante el ataque químico, los componentes neutros activados reaccionan independientemente de la energía cinética. Las tres principales sub-etapas de esta reacción de superficie son:
    • Absorción de precursores
    • Reacción de superficie
    • Desorción de productos.
  • Efecto de bombeo (Pump down effect): Después del proceso de desorción de productos, los productos de la reacción volátil se difunden hacia el plasma y son expulsados por el bombeo de vacío. Las direcciones de difusión de los productos y reactivos se determinan por los gradientes de concentración en la superficie del substrato y en el plasma.