Tabla de técnicas de deposición al vacío

Tabla de técnicas de deposición al vacío adecuadas según el tipo de material

Encontrará información y otros datos para ayudarle a determinar la técnica de deposición al vacío más adecuada según el tipo de material.

  • E-Beam Evaporation = PVD using electron beam to generate vapor
  • Thermal Evaporation = PVD using electric heater
  • PDC = Pulsed DC (Direct Current) sputtering
  • RF = RF(Radio Frequency) sputtering
  • RF-R = reactive RF (Radio Frequency) sputter
  • DC = DC (Direct Current)  sputtering
  • DC-R = reactive DC (Direct Current) sputtering

 

Explora nuestra tabla de técnicas de deposición al vacío adecuadas según el tipo de material.

A | B | C | D | E | G | H | I | K | L | M | N | O | P | R | S | T | U

Material Símbolo Densidad g/cm3 Punto de fusión (ºC) Sublima/Descompone “Relación de Impedancia Acústica Z” “Temp.(ºC) para 10-8 Torr” “Temp.(ºC) para 10-6 Torr” “Temp.(ºC) para 10-4 Torr” “Desempeño del haz de electrones” “Material del forro para haz de electrones” “Evaporación térmica: Barco” “Evaporación térmica. Bobina” “Evaporación térmica. Cesta” “Evaporación térmica. Crisol” Sputter Notas
A
Aluminio Al 2.7 660 1.08 677 821 1010 Excelente “Fabmate®, Intermetálico” W TiB2-BN, BN DC “Aleaciones W/Mo/Ta. Evaporación rápida o use un crisol BN.”
Antimonita de Aluminio AlSb 4.3 1080 RF
Arseniuro de Aluminio AlAs 3.7 1600 ≈1300 RF
Aluminio Bromuro AlBr3 2.64 97 ≈50 Mo GR
Carburo de Aluminio Al4C3 2.36 ≈1400 D ≈800 Justo RF
Fluoruro de Aluminio AlF3 2.88 1291 S 410 490 700 Pobre “Grafito, Fabmate®” “Mo, W, Ta” Gr RF
Nitruro de Aluminio AlN 3.26 >2200 S **1.00 ≈1750 Justo RF-R “Se descompone. Evaporación reactiva en N2 con descarga luminosa en 10-3 T.”
Óxido de Aluminio Al2O3 3.97 2072 0.336 1550 Excelente “Fabmate®, Tungsteno” W W RF-R “Sapphire excelente en haz de electrones; forma películas suaves y duras.”
Fosfuro de Aluminio AlP 2.42 2 RF
Aluminio, 1% Cobre Al/Cu 99/1 wt% 2.82 640 **1.00 CC “Alimentación de alambre y destello. Difícil desde fuentes duales.”
Aluminio, 1% Silicio “Al/Si 99/1 wt %” 2.69 640 **1.00 1010     TiB2-BN “RF, CC” “Alimentación de alambre y destello. Difícil desde fuentes duales.”
Antimonio Sb 6.68 630 S 0.768 279 345 425 Pobre “Mo*** Ta***” “Mo, Ta” “Mo, Ta” “BN, C, Al2O3” “RF, CC” Evapora bien.
Óxido de Antimonio Sb2O3 5.2 656 S ≈300 Bueno “BN, Al2O3” RF-R Se descompone sobre W.
Seleniuro de Antimonio Sb2Se3 611 Ta C RF “Estequiometría variable.”
Sulfuro de Antimonio Sb2S3 4.64 550 ≈200 Bueno “Molibdeno, Tántalo” “Mo, Ta” “Mo, Ta” Al2O3 “No hay descomposición.”
Telururo de Antimonio Sb2Te3 6.5 629 **1.00     600 C RF “Se descompone sobre 750°C.”
Arsénico As 5.73 817 S 107 150 210 Pobre Fabmate® C Al2O3 “Sublima rápidamente a baja temperatura.”
Óxido de Arsénico As2O3 3.74 312
Seleniuro de Arsénico As2Se3 4.75 ~360 “Al2O3, Q” RF
Sulfuro de Arsénico As2S3 3.43 300 ≈400 Aceptable Mo “Al2O3, Q” RF
Telururo de Arsénico As2Te3 6.5 362 Destello “Ver JVST. 1973, 10:748”
B
Bario Ba 3.51 725 2.1 545 627 735 Regular “W, Ta, Mo” W W Metales RF “Húmedo sin aleación, reacciona con cerámicas.”
Cloruro de Bario BaCl2 3.92 963 ≈650 “Ta, Mo” RF “Precalentar suavemente para desgasificar.”
Fluoruro de Bario BaF2 4.89 0.355 S 0.793 ≈700 Bueno Molibdeno Mo RF
Óxido de Bario BaO 5.72 1918 ≈1300 Pobre Al2O3 “RF, RF-R” “Se descompone ligeramente.”
Sulfuro de Bario BaS 4.25 1200 1.1 Mo RF
Titanato de Bario BaTiO3 6.02 1625 D 0.464 RF “Da Ba. Co-evaporación y sputtering OK.”
Berlilio Be 1.85 1278 710 878 1 Excelente “Grafito, Fabmate®” “W, Ta” W W C DC “Húmedo W/Mo/Ta. Se evapora fácilmente”
Carburo de Berlilio Be2C 1.9 >2100 D
Cloruro de Berlilio BeO 3.01 2530 1900 Bueno W “RF, RF-R” “Sin descomposición por pistolas de electrones.”
Fluoruro de Berlilio BeF2 1.99 800 S ≈200 Bueno
Óxido de Berlilio BeO 3.01 2530 1900 Bueno W “RF, RF-R” “Sin descomposición por pistolas de electrones.”
Bismuto Bi 9.8 271 0.79 330 410 520 Excelente “Fabmate®, Grafito” “W, Mo, Ta” W W Al2O3 DC “Alta resistividad. Los materiales de bajo punto de fusión no son ideales para sputtering.”
Fluoruro de Bismuto BiF3 5.32 727 S ≈300 Gr RF
Óxido de Bismuto Bi2O3 8.55 860 **1.00 ≈1400 Pobre “RF, RF-R”
Seleniuro de Bismuto Bi2Se3 6.82 710 D **1.00 ≈650 Bueno “Gr, Q” RF “Co-evaporación de 2 fuentes o pulverización.”
Bisulfuro de Bismuto Bi2S3 7.39 685 D RF
Telururo de Bismuto Bi2Te3 7.7 573 **1.00 ≈600 “W, Mo” “Gr, Q” RF “Co-evaporación de 2 fuentes o pulverización.”
Titanato de Bismuto Bi2Ti2O7 870 D RF “Pulverización o co-evaporación de 2 fuentes en O2 a 10-2 Torr.”
Boro B 2.34 2079 0.389 1.278 1.548 1797 Excelente “Fabmate®, Grafito” C C RF “Explota con enfriamiento rápido. Forma carburo con el recipiente.”
Carburo de Boro B4C 2.52 2350 **1.00 2.5 2.58 2650 Excelente “Fabmate®, Grafito” RF “Similar al cromo.”
Nitruro de Boro BN 2.25 3000 S 1600 Pobre “RF, RF-R” “Se descompone cuando se pulveriza. Se prefiere reactivo.”
Óxido de Boro B2O3 1.81 ≈450 ≈1400 Bueno Molibdeno Mo
Azufre de Boro B2S3 1.55 310 800 Gr RF
 C
Cadmio Cd 8.64 321 0.682 64 120 180 Pobre “W,
Mo, Ta”
“W,
Mo, Ta”
“Al2O3,
Q”
“DC,
RF”
“Malo para
sistemas de vacío. Bajo coeficiente de adherencia.”
Antimonuro de cadmio Cd3Sb2 6.92 456
Arseniuro de cadmio Cd3As2 6.21 721 Q RF
Cadmio bromuro CdBr2 5.19 567 ≈300
Cadmio cloruro CdCl2 4.05 568 ≈400
Cadmio fluoruro CdF2 6.64 1.1 ≈500 RF
Yoduro de cadmio CdI2 5.67 387 ≈250
Óxido de cadmio CdO 6.95 >1500 D ≈530 RF-R Disproporciona.
Seleniuro de cadmio CdSe 5.81 >1350 S **1.00 540 Bueno “Molibdeno,
Tantalio”
“Mo,
Ta”
“Al2O3,
Q”
RF “Evapora
fácilmente.”
Cadmio sulfuro CdS 4.82 1750 S 1.02 550 Justo “W,
Mo, Ta”
W “Al2O3,
Q”
RF “Coeficiente
de adherencia afectado por el sustrato.”
Telururo de cadmio CdTe 5.85 1092 0.98 450 “W,
Mo, Ta”
W “W,
Ta, Mo”
RF “La estequiometría
depende de la temperatura del sustrato. n~2.6.”
Calcio Ca 1.54 839 S 2.62 272 357 459 Pobre W W W “Al2O3,
Q”
Corroe en el aire.
Fluoruro de Calcio CaF2 3.18 1423 0.775 ≈1100 “W, Mo, Ta” “W, Mo, Ta” “W, Mo, Ta” Q RF “Control de la tasa importante. Precalentar suavemente para liberar gases.”
Óxido de Calcio CaO ~3.3 2614 ≈1700 “W, Mo” ZrO2 RF-R “Forma óxidos volátiles con W/Mo.”
Silicato de Calcio CaSiO3 2.91 1540 Bueno Q RF
Sulfuros de Calcio CaS 2.5 2525 D 1100 Mo RF Se descompone.
Rutilo de Calcio CaTiO3 4.1 1975 1490 1600 1690 Pobre RF “Se desproporciona, excepto en pulverización.”
Tungstato de Calcio CaWO4 6.06 1200 Bueno W RF
Carbono C 1.8–2.1 ≈3652 S 3.26 1657 1867 2137 Excelente “Fabmate®, Grafito” PDC “E-beam preferido. Evaporación por arco. Adhesión débil de la película.”
Cerio Ce ~6.70 798 **1.00 970 1150 1380 Bueno “W, Ta” W “W, Ta” Al2O3 “DC, RF”
Óxido de Cerio (III) Ce2O3 6.86 1692 Regular W “Aleaciones con fuente. Usa un barco de W de 0.015”–0.020”.”
Óxido de Cerio (IV) CeO2 7.13 ≈2600 **1.00 1890 2000 2310 Bueno “Tántalo, Grafito, Fabmate®” W “RF, RF-R” “Muy poca descomposición.”
Fluoruro de Cerio CeF3 6.16 1460 **1.00 ≈900 Bueno “Tungsteno, Tántalo, Molibdeno” “W, Mo, Ta” “Mo, Ta” RF “Precalentar suavemente para liberar gases. n~1.7.”
Cesio Cs 1.88 28 -16 22 80 Q
Bromuro de Cesio CsBr 3.04 636 ≈400 W RF
Cloruro de Cesio CsCl 3.99 645 ≈500 W RF
Fluoruro de Cesio CsF 4.12 682 ≈500 W RF
Hidróxido de Cesio CsOH 3.68 272 550
Yoduro de Cesio CsI 4.51 626 ≈500 W Q RF
Chiolita Na5Al3F14 2.9 735 ≈800 “Mo, W” RF  
 Cromo  Cr  7.2 1.857  S  0.305  837 977  1157  Bueno “Fabmate®,   Grafito, Tungsteno”  “Varillas W plated Cr” W W VitC DC “Películas muy adherentes. Tasas altas posibles.”
 Boruro de Cromo CrB  6.17 1950-2050  –  –  –  –  –  –  –  –  –  –  – RF
 Bromuro de Cromo (II) CrBr2 4.36 842 550  –  –  –  –  –  – RF  –
 Carburo de Cromo Cr3C2 6.68 1895  –  –  –  – ≈2000 Regular W  –  –  – RF  –
 Cloruro de Cromo CrCl2 2.88 824  –  –  –  – 550  –  – Fe  –  –  – RF  –
Óxido de Cromo Cr2O3 5.21 2266 **1.00  –  – ≈2000 Bueno  –  “W, Mo”  – W  –  “RF, RF-R” “Se desproporciona a óxidos más bajos; se reoxida a 600°C en aire.”
 Silicuro de Cromo CrSi2 5.5 1490  –  –  –  –  –  –  –  –  –  – RF  –
Óxido de Silicio-Cromo Cr-SiO S  –  –  –  – Bueno  – W  – W  – RF Evaporación flash.
Cobalto † Co 8.9 1495  – 0.343 850 990 1200 Excelente Directo en el hogar  “W, Nb”  – W Al2O3 DC “Aleaciones con W/Ta/Mo.”
 Bromuro de Cobalto CoBr2  4.91 678 D 400  –  –  –  –  –  – RF  –
Cloruro de Cobalto CoCl2  3.36  724 D  –  –  –  472  –  –  –  –  –  – RF  –
Óxido de Cobalto CoO  6.45 1795  – 0.412  –  –  –  –  –  –  –  –  “DC-R, RF-R” “Se prefiere el pulverizado.”
Cobre Cu  8.92 1083  0.437 727  857 1017  Excelente  “Grafito, Molibdeno” Mo W W  “Al2O3, Mo, Ta” DC “Pobre adhesión. Utilizar intercalador (Cr). Evapora con cualquier material fuente.”
Cloruro de Cobre CuCl 4.14  430 *  –  ≈600  –  –  –  –  –  – RF  –
Óxido de Cobre Cu2O 6 1235 S **1.00 ≈600 Bueno “Grafito, Fabmate®, Tantalio” Ta Al2O3 “DC-R, RF-R”
Sulfuros de Cobre Cu2S 5.6 1100
Criolita Na3AlF6 2.9 1 1020 1260 1480 Excelente “Fabmate®, Tungsteno” “W, Mo, Ta” “W, Mo, Ta” VitC RF “Los trozos grandes reducen el salpique. Poca descomposición.”
D
Disprosio Dy 8.55 1412 0.6 625 750 900 Bueno “Directo en el hogar” Ta DC
Fluoruro de Disprosio DyF3 1360 S ≈800 Bueno Ta RF
Óxido de Disprosio Dy2O3 7.81 2340 ≈1400 “RF, RF-R” Pierde oxígeno
E
Erbio Er 9.07 1529 S 0.74 650 775 930 Bueno “Wolframio, Tántalo” “W, Ta” DC
Fluoruro de Erbio ErF3 7.82 1350 ≈750 Mo RF “Ver JVST. 1985; A3(6):2320.”
Óxido de Erbio Er2O3 8.64 2350 **1.00 ≈1600 “RF, RF-R” Pierde oxígeno.
Escandio Sc 2.99 1541 0.91 714 837 1002 Excelente “Tungsteno, Molibdeno” W Al2O3 RF Se alea con Ta.
Óxido de Escandio Sc2O3 3.86 2300 ~400 Regular “RF, RF-R”
Europio Eu 5.24 822 S **1.00 280 360 480 Aceptable “W, Ta” Al2O3 DC “Baja solubilidad de Ta.”
Fluoruro de Europio EuF2 6.5 1380 ≈950 Mo RF
Óxido de Europio Eu2O3 7.42 2350 ≈1600 Bueno “Ta, W” ThO2 “RF, RF-R” “Pierde oxígeno. Películas claras y duras.”
Sulfuro de Europio EuS 5.75 Bueno RF
G
Gadolinio † Gd 7.9 1313 0.67 760 900 1175 Excelente “Directo en el corazón” Ta Al2O3 DC “Alta solubilidad de Ta”
Carburo de gadolinio GdC2 1500 C RF “Se descompone bajo esputtering.”
Óxido de gadolinio Gd2O3 7.41 2330 Regular “RF, RF-R” Pierde oxígeno.
Galio Ga 5.9 30 619 742 907 Bueno Fabmate® “Al2O3, Q” “Aleaciones con W/Ta/Mo. Usar pistón de electrones. Materiales con punto de fusión bajo no son ideales para esputtering.”
Antimoniuro de galio GaSb 5.6 710 Regular “W, Ta” RF Evaporación flash.
Arseniuro de galio GaAs 5.3 1238 Bueno “Grafito, Fabmate®” “W, Ta” C RF Evaporación flash.
Niobio de galio GaN 6.1 800 S ≈200 Al2O3 “RF, RF-R” “Evaporar Ga en 10-3 Torr N2.”
Óxido de galio Ga2O3 6.44 1900 W RF Pierde oxígeno.
Fosfuro de galio GaP 4.1 1540 770 920 “W, Ta” W Q RF “No se descompone. Control de tasa importante.”
Germanio Ge 5.35 937 0.516 812 957 1167 Excelente “Fabmate®, Grafito” “W, C, Ta” “Q, Al2O3” DC “Películas excelentes de pistón de electrones.”
Óxido de germanio (II) GeO 700 S 500 Q RF
Óxido de germanio (III) GeO2 6.24 1086 ≈625 Bueno “Fabmate®, Tantalum, Molibdeno” “Ta, Mo” “W, Mo” “Q, Al2O3” RF-R “Similar a SiO; película predominantemente GeO.”
Nitrato de germanio Ge3N2 5.2 450 S ~650 RF-R “Preferido para esputtering.”
Telururo de germanio GeTe 6.2 725 381 “W, Mo” W “Q, Al2O3” RF
Vidrio, Schott® 8329 2.2 1.3 Excelente RF “Vidrio alcalino evaporativo. Fundir al aire antes de evaporar.”
H
Hafnio Hf 13.31 2227 0.36 2160 2250 3090 Bueno DC
Boruro de Hafnio HfB2 10.5 3250 “DC, RF”
Carburo de Hafnio HfC 12.2 ≈3890 S **1.00 ≈2600 RF
Nitrato de Hafnio HfN 13.8 3305 **1.00 “RF, RF-R”
Óxido de Hafnio HfO2 9.68 2758 **1.00 ≈2500 Regular “Directo en el horno” “RF, RF-R” Pelicula HfO.
Silicida de Hafnio HfSi2 7.2 1750 RF
Holmio Ho 8.8 1474 0.58 650 770 950 Bueno “W, Ta” W W
Hierro † Fe 7.86 1535 0.349 858 998 1180 Excelente Fabmate®‡ W W W Al2O3 DC “Ataca a las películas de W de manera fuerte, suave. Precalentar suavemente para desgasificar.”
Óxido de Hierro (II) FeO 5.7 1369 Pobre “Decompone; preferido en sputtering.”
Óxido de Hierro (III) Fe2O3 5.24 1565 **1.00 Bueno W W “Se disocia a Fe3O4 a 1,530°C.”
Yoduro de Hierro FeI2 5.32 400 Fe RF
Sulfuro de Hierro FeS 4.74 1193 D Al2O3 RF Se descompone
Fluoruro de Holmio HoF3 7.68 1143 ≈800 Q “DC, RF”
Óxido de Holmio Ho2O3 8.41 2370 “RF, RF-R” Pierde oxígeno.
I
Inconel® Ni/Cr/Fe 8.5 1425 Bueno “Fabmate®, Tungsteno” W W W DC “Usar alambre fino envuelto en W. Se requiere baja tasa para películas suaves.”
Indio In 7.3 157 0.841 487 597 742 Excelente “Fabmate®, Grafito, Molibdeno” “W, Mo” W “Gr, Al2O3” DC “Humedecer W y Cu. Usar revestimiento de Mo. Materiales de bajo punto de fusión no son ideales para sputtering.”
Óxido de Indio (I) In2O 6.99 ≈600 S 650 RF “Se descompone bajo sputtering.”
Óxido de Indio (III) In2O3 7.18 850 **1.00 ≈1200 Bueno “W, Pt” Al2O3
Disulfuro de Indio (I) In2S 5.87 653 650 Gr RF
Disulfuro de Indio (II) InS 5.18 692 S 650 Gr RF
Trisulfuro de Indio (III) In2S3 4.9 1050 S 850 Gr RF Película In2S.
Telururo de Indio (II) InTe 6.29 696
Telururo de Indio (III) In2Te3 5.78 667 RF “Preferido para sputtering; o co-evaporar desde 2 fuentes; destello.”
Antimonuro de Indio InSb 5.8 535 W RF “Se descompone. Preferido para sputtering; o co-evaporar.”
Arseniuro de Indio InAs 5.7 943 780 870 970 W RF
Nitruro de Indio InN 7 1200
Fosfuro de Indio InP 4.8 1070 630 730 “W, Ta” “W, Ta” Gr RF “Los depósitos son ricos en P.”
 Seleniuro de Indio In2Se3 5.67 890 RF “Preferido en sputtering; o co-evaporar desde 2 fuentes; destello.”
Óxido de Indio y Estaño “In2O3/SnO290/10   wt%” 1.8 S “Fabmate®,   Grafito”
 Iridio Ir 22.42 2410 0.129 1850 2080 2380 Bueno DC
K
Kanthal FeCrAl 7.1 W W W DC
L
Lanthanum La 6.15 921 0.92 990 1212 1388 Excelente “Wolframio, Tantalio” “W, Ta” Al2O3 RF “Las películas se quemarán en el aire si se raspan.”
Lanthanum Boride LaB6 2.61 2210 D **1.00 Bueno RF
Lanthanum Bromide LaBr3 5.06 783 Ta RF Higroscópico.
Fluoruro de Lanthanum LaF3 ~6.0 1490 S 900 Bueno “Tantalio, Molibdeno” “Ta, Mo” Ta RF “Sin descomposición. n~1.6.”
Óxido de Lanthanum La2O3 6.51 2307 **1.00 1400 Bueno “Grafito, Fabmate®, Wolframio” “W, Ta” RF “Pierde oxígeno. n~1.73.”
Litio Li 0.53 181 5.9 227 307 407 Bueno Tantalio Ta Al2O3 “El metal reacciona rápidamente con el aire.”
Bromuro de litio LiBr 3.46 550 ≈500 Ni RF
Cloruro de litio LiCl 2.07 605 400 Ni RF “Precalentar suavemente para desgasificar.”
Fluoruro de litio LiF 2.64 845 0.778 875 1020 1180 Bueno “Tantalio, Tungsteno, Molibdeno” “Ni, Ta, Mo, W” Al2O3 RF “El control de la tasa es importante para películas ópticas. Precalentar suavemente para desgasificar.”
Yoduro de litio LiI 4.08 449 400 “Mo, W” RF
Litio Niobato LiNbO3 0.463
Óxido de Litio Li2O 2.01 >1700 850 RF
Lutecio Lu 9.84 1663 1300 Excelente “Directo en el horno” Ta Al2O3 “RF, DC”
Óxido de Lutecio Lu2O3 9.42 1400 RF Se descompone.
M
Magnesio Mg 1.74 649 S 1.61 185 247 327 Bueno “Fabmate®, Grafito, Tungsteno” “W, Mo, Ta, Cb” W W Al2O3 DC “Posibles tasas extremadamente altas.”
Aluminato de Magnesio MgAl2O4 3.6 2135 Bueno RF Espinela natural.
Bromuro de Magnesio MgBr2 3.72 700 ≈450 Ni RF Se descompone.
Cloruro de Magnesio MgCl2 2.32 714 400 Ni RF Se descompone.
Fluoruro de Magnesio MgF2 2.9–3.2 1261 0.637 1 Excelente “Fabmate®, Grafito, Molibdeno” “Mo, Ta” Al2O3 RF “Control importante de la temperatura del sustrato y la tasa. Reacciona con W. Mo está bien.”
Yoduro de Magnesio MgI2 4.43 <637 D 200 RF
Óxido de Magnesio MgO 3.58 2852 0.411 1300 Bueno “Fabmate®, Grafito” “C, Al2O3” “RF, RF-R” “Se evapora a 10-3Torr O2 para la estequiometría.”
Manganeso Mn 7.2 1244 S 0.377 507 572 647 Bueno Tungsteno “W, Ta, Mo” W W Al2O3 DC
Óxido de Manganeso (II) MnO 5.37 1945
Óxido de Manganeso (III) Mn2O3 4.5 1080 0.467
Óxido de Manganeso (IV) MnO2 5.03 535 Pobre W W RF-R “Pierde oxígeno a 535°C.”
Bromuro de manganeso MnBr2 4.39 D 500 RF
Cloruro de manganeso MnCl2 2.98 650 -68 -42 -6 RF
Sulfuro de manganeso MnS 3.99 D 1300 Mo RF Se descompone.
Mercurio Hg 13.55 ≈39 -68 -42 -6
Sulfuro de mercurio HgS 8.1 584 S 250 Al2O3 RF Se descompone.
Molibdeno Mo 10.2 2617 0.257 1592 1822 2117 Excelente “Fabmate®, Grafito” DC “Películas lisas, duras. Se requiere desgasificación cuidadosa.”
Boruro de molibdeno MoB2 7.12 2100 Pobre RF
Carburo de molibdeno Mo2C 8.9 2687 **1.00 Aceptable RF “La evaporación de Mo(CO)6 produce Mo2C.”
Sulfuro de molibdeno MoS2 4.8 1185 **1.00 ≈50 RF
Óxido de molibdeno MoO3 4.69 795 S **1.00 ≈900 Mo Mo “Al2O3, BN” RF “Pérdida ligera de oxígeno.”
Silicuro de molibdeno MoSi2 6.31 2050 **1.00 W RF Se descompone.
N
Neodimio Nd 7.01 1021 **1.00 731 871 1062 Excelente Tántalo Ta Al2O3 DC “Baja solubilidad en W.”
Fluoruro de Neodimio NdF3 6.5 1410 ≈900 Bueno “Wolframio, Molibdeno” “Mo, W” “Mo, Ta” Al2O3 RF “Muy poca descomposición.”
Óxido de Neodimio Nd2O3 7.24 ≈1900 ≈1400 Bueno “Tántalo, Wolframio” “Ta, W” ThO2 “RF, RF-R” “Pierde oxígeno; las películas son claras. Se prefiere el haz electrónico.”
NiCr® IV † Ni/Cr 8.5 1395 **1.00 847 987 1217 Excelente Fabmate® Mo***, W***, Ta*** W W, Ta Al2O3 DC “Aleaciones con W/Ta/Mo.”
Níquel † Ni 8.9 1453 0.331 927 1072 1262 Excelente Fabmate®‡ W*** Al2O3 DC “Aleaciones con W/Ta/Mo. Películas adherentes lisas.”
Bromuro de Níquel NiBr2 5.1 963 S 362 RF
Cloruro de Níquel NiCl2 3.55 1001 S 444 RF
Óxido de Níquel NiO 6.67 1984 **1.00 ≈1470 Al2O3 RF-R “Se disocia al calentarse.”
Niquel/Hierro † Ni/Fe **1.00 Fabmate®‡
Nimendium † Ni3%Mn 8.8 1425 DC
Niobio Nb 8.57 2468 0.492 1728 1977 2287 Excelente Fabmate® DC “Ataca W fuente.”
Óxido de Niobio (II) NbO 7.3 1100 RF
Óxido de Niobio (III) Nb2O3 7.5 1780 W W “RF, RF-R”
Óxido de Niobio (V) Nb2O5 4.47 1485 **1.00 W W “RF, RF-R”
Boruro de Niobio NbB2 6.97 2900 RF
Carburo de Niobio NbC 7.6 3500 **1.00 Justo RF
Nitrato de Niobio NbN 8.4 2573 **1.00 “RF, RF-R” “Reacciona. Se evapora Nb en 10-3 Torr N2.”
Telururo de Niobio NbTe2 7.6 RF “Composición variable.”
Niobio-Estaño Nb3Sn Excelente DC “Co-evaporar desde 2 fuentes.”
O
Osmio Os 22.48 3045 2170 2430 2760 Justo DC
Oro Au 19.32 1064 0.381 807 947 1132 Excelente “Fabmate®, Tungsteno” “W*** Mo***” “Al2O3, BN” DC “Las películas son blandas; no muy adherentes.”
Óxido de Osmio Os2O3 D “Deposita Os en 10-3Torr O2.”
P
Paladio Pd 12.02 1554 S 0.357 842 992 1192 Excelente “Fabmate®, Grafito, Tungsteno” W*** W W Al2O3 DC “Aleaciones con metales refractarios.”
Óxido de paladio PdO 9.7 870 575 Al2O3 RF-R Se descompone.
Plata Ag 10.5 962 0.529 847 958 1105 Excelente “Fabmate®, Tungsteno, Molibdeno, Tantalio” W Mo “Ta, Mo” “Al2O3, W” DC
Bromuro de Plata AgBr 6.47 432 D ≈380 Ta Q RF
Cloruro de Plata AgCl 5.56 455 ≈520 Mo Mo Q RF
Yoduro de Plata AgI 6.01 558 ≈500 Ta RF
Parylene C8H8 1.1 300–400 Plástico vapor-depositable.
Plomo Pb 11.34 328 1.13 342 427 497 Excelente Fabmate® “W, Mo” W “W, Ta” “Al2O3, Q” DC
Bromuro de plomo PbBr2 6.66 373 ≈300
Cloruro de plomo PbCl2 5.85 501 ≈325 Al2O3 RF “Descomposición ligera.”
Fluoruro de plomo PbF2 8.24 855 S ≈400 “W, Mo” BeO RF
Yoduro de plomo PbI2 6.16 402 ≈500 Q
Óxido de plomo PbO 9.53 886 ≈550 “Q, Al2O3” RF-R “No hay descomposición. n~2.6.”
Seleniuro de plomo PbSe 8.1 1065 S ≈500 “W, Mo” W “Gr, Al2O3” RF
Estanato de plomo PbSnO3 8.1 1115 670 780 905 Malo Al2O3 RF Disproporciona.
Sulfuro de plomo PbS 7.5 1114 S 500 W “W, Mo” “Q, Al2O3” RF “Descomposición ligera.”
Telururo de plomo PbTe 8.16 917 0.651 780 910 1050 “Mo, Pt, Ta” “Al2O3, Gr” RF “Los depósitos son ricos en Ta. Se prefiere el pulverizado.”
Titanato de plomo PbTiO3 7.52 1.16 Ta RF
Permalloy® † Ni/Fe/Mo/Mn 8.7 1395 **1.00 947 1047 1307 Bueno Fabmate®‡ W Al2O3 DC Pelicula baja en Ni.
Fósforo P 1.82 44.1 327 361 402 Al2O3 El material reacciona violentamente en el aire.
Nitruro de Fósforo P3N5 2.51 RF, RF-R
Platino Pt 21.45 1772   0.245 1292 1492 1747 Excelente Fabmate®, Grafito W W W C DC Aleaciones con metales. Las películas son suaves, mala adhesión.
Óxido de Platino PtO2 10.2 450 -7 RF-R Preferible evaporación con haz electrónico.
Plutonio Pu 19.84 641 W
Polonio Po 9.4 254 117 170 244 Q
Potasio K 0.86 63 23 60 125 Mo Q El metal reacciona rápidamente en el aire. Precalentar suavemente para desgasificar.
Bromuro de Potasio KBr 2.75 734 ≈450 Ta, Mo Q RF Precalentar suavemente para desgasificar.
Cloruro de Potasio KCl 1.98 770 S 510 Bueno Tantalio Ta, Ni RF Precalentar suavemente para desgasificar.
Fluoruro de Potasio KF 2.48 858 ≈500 Q RF Precalentar suavemente para desgasificar.
Hidróxido de Potasio KOH 2.04 360 ≈400 Precalentar suavemente para desgasificar.
Yoduro de Potasio KI 3.13 681 ≈500 Ta RF Precalentar suavemente para desgasificar.
Praseodimio Pr 6.77 931 **1.00 800 950 1150 Bueno Ta DC
Óxido de Praseodimio Pr2O3 7.07 D 1400 Bueno ThO2 “RF, RF-R” Perdió oxígeno.
PTFE PTFE 2.9 330 W RF “Fuente con bafle. Estructura de película dudosa.”
R
Radio Ra “5 (?)” 700 246 320 416
Renio Re 20.53 3180 0.15 1928 2207 2571 Pobre DC
Óxido de Renio ReO3 ~7 D RF “Evaporar Re en 10-3 Torr O2.”
Rhodio Rh 12.4 1966 0.21 1277 1472 1707 Bueno “Fabmate®, Tungsteno” W W W “ThO2, VitC” DC “Se prefiere la pistola de haz de electrones.”
Rubidio Rb 1.48 39 -3 37 111 Q
Cloruro de Rubidio RbCl 2.09 718 ≈550 Q RF
Yoduro de Rubidio RbI 3.55 647 ≈400 Q RF
Rutenio Ru 12.3 2310 0.182 1780 1990 2260 Pobre DC
S
Samario Sm 7.52 1074 0.89 373 460 573 Bueno Ta Al2O3 DC
Óxido de Samario Sm2O3 8.35 2350 Bueno ThO2 “RF, RF-R” “Pierde oxígeno. Las películas son lisas y claras.”
Sulfuros de Samario Sm2S3 5.73 1900 Bueno
Sodio Na 0.97 98 74 124 192 Ta Q “Precalentar suavemente para eliminar gases. El metal reacciona rápidamente en el aire.”
Bromuro de Sodio NaBr 3.2 747 ≈400 Q RF “Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Cloruro de Sodio NaCl 2.17 801 530 Bueno “Ta, W, Mo” Q RF “Horno de cobre; poca descomposición. Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Cianuro de Sodio NaCN 564 ≈550 RF “Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Fluoruro de Sodio NaF 2.56 993 ≈1000 Bueno “Tungsteno, Fabmate®” “Mo, Ta, W” BeO RF “Precalentar suavemente para eliminar gases. No hay descomposición.”
Hidróxido de Sodio NaOH 2.13 318 ≈470 “Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Selencio Se 4.81 217 0.864 89 125 170 Bueno “Fabmate®, Tungsteno, Molibdeno” “W, Mo” “W, Mo” “W, Mo” Al2O3 “Malo para sistemas de vacío. Alta presión de vapor. Materiales de bajo punto de fusión no ideales para sputtering.”
Silicio Si 2.32 1410 0.712 992 1147 1337 Regular “Fabmate®‡, Tantalio” RF “Aleaciones con W; usar barco de W pesado. Se produce SiO.”
Óxido de Silicio (II) SiO 2.13 >1702 S 0.87 850 Regular “Fabmate®, Tungsteno, Tantalio” Ta W W Ta “RF, RF-R” “Para evaporación por resistencia, usar caja de bafle y tasa baja.”
Óxido de Silicio (IV) SiO2 ~2.65 1610 **1.00 * * 1025* Excelente “Fabmate®, Grafito, Tantalio” Al2O3 RF “Cuarzo excelente en E-beam.”
Silicio (Tipo N) “Si (Tipo N)” 2.32 1410 0.712 992 1147 1337 Regular “Fabmate®‡, Tantalio” “DC, RF”
Silicio (Tipo P) “Si (Tipo P)” 2.32 1410 0.712 992 1147 1337 Regular “Fabmate®‡, Tantalio” “DC, RF”
Carburo de Silicio SiC 3.22 ≈2700 “S, D” **1.00 1 RF “Preferido para sputtering.”
Nitruro de Silicio Si3N4 3.44 1900 **1.00 ≈800 “RF, RF-R”
Seleniuro de Silicio SiSe 550 Q RF
Disulfuro de Silicio SiS 1.85 940 S 450 Q RF
Telururo de Silicio SiTe2 4.39 550 Q RF
Espinel MgAI2O4 8 Bueno RF
Estroncio Sr 2.6 769 **1.00 239 309 403 Pobre “W, Ta, Mo” W W VitC RF “Se moja pero no se alea con W/Ta/Mo. Puede reaccionar en el aire.”
Cloruro de Estroncio SrCl2 3.05 875
Fluoruro de estroncio SrF2 4.24 1473 ≈1000 Al2O3 RF
Óxido de estroncio SrO 4.7 2430 S 1500 Mo Al2O3 RF “Reacciona con W/Mo.”
Sulfuros de estroncio SrS 3.7 >2000 Mo RF Se descompone.
Titanato de estroncio SrTiO3 0.31
Azufre S 2.07 113 13 19 57 Pobre W W Q “Malo para sistemas de vacío.”
Supermalloy® † Ni/Fe/Mo 8.9 1410 Bueno Fabmate®‡, DC “Preferido para sputtering; o co-evaporar desde 2 fuentes: Ni/Fe y Mo.”
T
Tantalio Ta 16.6 2996 0.262 1960 2240 2590 Excelente “Fabmate®, Grafito” DC “Forma buenas películas.”
Boruro de tantalio TaB2 11.15 >3000 RF
Carburo de tantalio TaC 13.9 3880 **1.00 ≈2500 RF
Nitrato de tantalio TaN 16.3 3360 **1.00 “RF, RF-R” “Evaporar Ta en 10-3 Torr de N2.”
Pentóxido de tantalio Ta2O5 8.2 1872 0.3 1550 1780 1920 Bueno “Fabmate®, Tantalio” Ta W W VitC “RF, RF-R” “Leve descomposición. Evaporar Ta en 10-3 Torr de O2.”
Sulfuros de tantalio TaS2 >1300 RF
Tecnecio Tc 11.5 2200 1570 1800 2090
Telurio Te 6.25 449 0.9 157 207 277 Pobre Fabmate® “W, Ta” W “W, Ta” “Al2O3, Q” RF “Mojado sin aleación.”
Terbio Tb 8.23 1356 0.66 800 950 1150 Excelente “Grafito, Fabmate®, Tántalo” Ta Al2O3 RF
Fluoruro de Terbio TbF3 1172 ≈800 RF
Óxido de Terbio Tb2O3 7.87 2387 1300 RF “Se descompone parcialmente.”
Peróxido de Terbio Tb4O7 D Ta RF Películas de TbO.
Talio Tl 11.85 304 280 360 470 Pobre Fabmate® “W, Ta” W “Al2O3, Q” DC Se moja fácilmente.
Bromuro de Talio TlBr 7.56 480 S ≈250 Ta Q RF
Cloruro de Talio TlCl 7 430 S ≈150 Ta Q RF
Yoduro de Talio TlI 7.1 440 S ≈250 Q RF
Óxido de Talio Tl2O2 10.19 717 350 <- RF “Se desproporciona a 850°C a Tl2O.”
Torio Th 11.7 1.75 1430 1660 1925 Excelente “Molibdeno, Tántalo, Wolframio” “W, Ta, Mo” W W
Bromuro de Torio ThBr4 5.67 610 S Mo
Carburo de Torio ThC2 8.96 2655 ≈2300 C RF
Fluoruro de Torio ThF4 6.32 >900 ≈750 Regular Mo W VitC RF
Óxido de Torio ThO2 9.86 3220 ≈2100 Bueno Wolframio “RF, RF-R”
Oxyfluoruro de Torio ThOF2 9.1 900 “Mo, Ta”
Sulfuros de Torio ThS2 7.3 1925 RF “Preferido para sputtering; o co-evaporar desde 2 fuentes.”
Tulio Tm 9.32 1545 S 461 554 680 Bueno Ta Al2O3 DC
Óxido de Tulio Tm2O3 8.9 1500 RF Se descompone.
Estaño Sn 7.28 232 0.724 682 807 997 Excelente “Fabmate®, Tántalo” Mo W W Al2O3 DC “Humedecer Mo con baja potencia de sputtering. Usar liner de Ta en pistolas E-beam. Los materiales de bajo punto de fusión no son ideales para sputtering.”
Óxido de Estaño SnO2 6.95 1630 S **1.00 ≈1000 Excelente W W W “Q, Al2O3” “RF, RF-R” “Las películas de W son deficientes en oxígeno; se oxidan en el aire.”
Seleniuro de Estaño SnSe 6.18 861 ≈400 Bueno Q RF
Sulfuros de Estaño SnS 5.22 882 ≈450 Q RF
Telururo de Estaño SnTe 6.48 780 D ≈450 Q RF
Titanio Ti 4.5 1660 0.628 1067 1235 1453 Excelente Fabmate® W TiC DC “Aleaciones con W/Ta/Mo; evoluciona gas al primer calentamiento.”
Óxido de Titanio (II) TiO 4.93 1750 **1.00 ≈1500 Bueno “Fabmate®, Tantalio” “W, Mo” VitC RF “Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Óxido de Titanio (III) Ti2O3 4.6 2130 D Bueno “Fabmate®, Tantalio” W RF Se descompone.
Óxido de Titanio (IV) TiO2 4.26 1830 0.4 ≈1300 Regular “Fabmate®, Tantalio” “W, Mo” W “Subóxido, debe ser reoxidado a rutilo. Ta reduce TiO2 a TiO y Ti.”
Boruro de Titanio TiB2 4.5 2900 **1.00 Pobre RF
Carburo de Titanio TiC 4.93 3140 **1.00 ≈2300 RF
Nítrido de Titanio TiN 5.22 2930 **1.00 Bueno Molibdeno Mo “RF, RF-R” “Se prefiere la pulverización. Se descompone con evaporación térmica.”
Wolframio W 19.35 3410 0.163 2117 2407 2757 Bueno “Directo en el Horno” DC “Forma óxidos volátiles. Las películas son duras y adherentes.”
Boruro de Wolframio WB2 10.77 ≈2900 Pobre RF
Carburo de Wolframio WC 17.15 2860 0.151 1480 1720 2120 Excelente “Grafito, Fabmate®” C RF
Disulfuro de tungsteno WS2 7.5 1250 D **1.00 RF
Óxido de tungsteno WO3 7.16 1473 S **1.00 980 Bueno Tungsteno W RF-R “Precalentar suavemente para eliminar gases. W reduce ligeramente el óxido.”
Seleniuro de tungsteno WSe2 9 RF
Silicuro de tungsteno WSi2 9.4 >900 **1.00 RF
Telururo de tungsteno WTe2 9.49 Q RF
U
Uranio U 19.05 1132 1132 1327 1582 Bueno “Mo, W” W W Las películas se oxidan.
Sulfuros de Uranio (II) US 10.87 >2000
Óxido de Uranio (III) U2O3 8.3 8.3 1300 D W W RF-R “Disproporciona a 1,300°C a UO2.”
Óxido de Uranio (IV) UO2 10.96 2878 W W RF “Ta causa descomposición.”
Disulfuro de Uranio (IV) US2 7.96 >1100 W RF “Descomposición leve.”
Carburo de Uranio UC2 11.28 2350 2100 C RF Se descompone.
Fluoruro de Uranio UF4 6.7 960 300 Ni RF
Fosfuro de Uranio UP2 8.57 1200 Ta RF Se descompone.
V
Vanadio V 5.96 1890 0.53 1162 1332 1547 Excelente Wolframio “W, Mo” DC “Mo se moja. Se prefieren películas evaporadas por haz de electrones.”
Óxido de Vanadio (IV) VO2 4.34 1967 S ≈575 “RF, RF-R” “Se prefiere el pulverizado.”
Óxido de Vanadio (V) V2O5 3.36 690 D **1.00 ≈500 Q RF
Carburo de Vanadio VB2 5.1 2400 RF
Carburo de Vanadio VC 5.77 2810 **1.00 ≈1800 RF
Nitrato de Vanadio VN 6.13 2320 “RF, RF-R”
Silicidio de Vanadio VSi2 4.42 1700 RF
Y
Iterbio Yb 6.96 819 S 1.13 520 590 690 Bueno Tantalio Ta
Fluoruro de Iterbio YbF3 1157 ≈800 “Tantalio, Molibdeno” Mo RF
Óxido de Iterbio Yb2O3 9.17 2346 S **1.00 ≈1500 “RF, RF-R” Pierde oxígeno.
Itrio Y 4.47 1522 0.835 830 973 1157 Excelente Wolframio “W, Ta” W W Al2O3 “RF, DC” “Alta solubilidad de Ta.”
Óxido de Aluminio de Itrio Y3Al5O12 1990 Bueno W W RF “Las películas no son ferroeléctricas.”
Fluoruro de Itrio YF3 4.01 1387 “Tantalio, Molibdeno” RF
Óxido de Itrio Y2O3 5.01 2410 **1.00 ≈2000 Bueno “Fabmate®, Grafito, Wolframio” W C “RF, RF-R” “Pierde oxígeno; las películas son lisas y claras.”
Z
 Zinc Zn 7.14 420 0.514 127 177 250 Excelente “Fabmate®,   Grafito, Wolframio” “Mo,   W, Ta” W W “Al2O3,   Q” DC “Evapora bien en un amplio rango de condiciones.”
Antimonuro de Zinc Zn3Sb2 6.33 570 RF
Bromuro de Zinc ZnBr2 4.2 394 ≈300 W C RF Se descompone.
Fluoruro de Zinc ZnF2 4.95 872 ≈800 Ta Q RF
Nitruro de Zinc Zn3N2 6.22 Mo RF Se descompone.
Óxido de Zinc ZnO 5.61 1975 0.556 ≈1800 Justo RF-R
Seleniuro de Zinc ZnSe 5.42  >1100 0.722 660 “Tantalio,   Molibdeno” “Ta,   W, Mo” “W,   Mo” “W,   Mo” Q RF “Precalentar suavemente para eliminar gases. Evapora bien.”
Sulfuro de Zinc ZnS 3.98 1700 S 0.775 ≈800 Bueno “Tantalio,   Molibdeno” “Ta,   Mo” RF “Precalentar suavemente para eliminar gases. Las películas se descomponen parcialmente. n=2.356.”
Telururo de Zinc ZnTe 6.34 1239 0.77 ~600 “Mo,   Ta” RF “Precalentar suavemente para eliminar gases.”
Zirconio Zr 6.49 1852 0.6 1477 1702 1987 Excelente W DC “Aleaciones con W. Las películas se oxidan fácilmente.”
Boruro de Zirconio ZrB2 6.09 ≈3200 Bueno RF
Carburo de Zirconio ZrC 6.73 3540 0.264 ≈2500 RF
Nitruro de Zirconio ZrN 7.09 2980 **1.00 “RF,   RF-R” “Evaporación reactiva en 10-3Torr N2.”
Óxido de Zirconio ZrO2 5.89 ≈2700 **1.00 ≈2200 Bueno “Grafito,   Wolframio” W “RF,   RF-R” “Las películas son deficientes en oxígeno, claras y duras.”
Silicato de Zirconio ZrSiO4 4.56 2550 RF
Silicuro de Zirconio ZrSi2 4.88 1700 RF

Symbols legend
† : Magnetic material (requires special sputter source)
‡:  One run only
* : Influenced by composition
** :The z-ratio is unknown. Therefore, we recommend using 1.00 or an experimentally determined value.
*** Alumina coating is available

Thermal evaporation accessories materials
C = carbon, Gr = graphite, Q = quartz, VitC = vitreous carbon

Sublimes/Decompose
S = sublimes
D = decomposes

Effective Sputtering Techniques
PDC = Pulsed DC sputtering
RF = RF sputtering
RF-R = Reactive RF sputter
DC = DC sputtering
DC-R = reactive DC sputtering